Radiation hardness of Czochralski silicon, Float Zone silicon and oxygenated Float Zone silicon studied by low energy protons
Julkaisuvuosi
2004
Tekijät
Nummela, S.; Nysten, J.; Zibellini, A.; Li, Zheng; Fretwurst, E.; Lindström, Gunnar; Stahl, J.; Honniger, F.; Eremin, V.; Ivanov, A.; Verbitskaya, E.; Heikkilä, Perttu; Ovchinnikov, V.; Yli-Koski, M.; Laitinen, Pauli; Pirojenko, A.; Riihimäki, Iiro; Virtanen, Ari
Näytä enemmänOrganisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli:
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Kustantaja
Volyymi
518
Numero
1-2
Sivut
346-348
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Tunnistettu aihe
[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä