Vertical excitation profile in diffusion injected multi-quantum well light emitting diode structure
Julkaisuvuosi
2015
Tekijät
Riuttanen, Lauri; Kivisaari, Pyry; Svensk, Olli; Vasara, Teemu; Myllys, Pertti; Oksanen, Jani; Suihkonen, Sami
Organisaatiot ja tekijät
Aalto-yliopisto
Oksanen Jani
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Konferenssi
Artikkelin tyyppi
Muu artikkeli:
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A4 Artikkeli konferenssijulkaisussaJulkaisukanavan tiedot
Emojulkaisun nimi
Konferenssi
Gallium Nitride Materials and Devices
Kustantaja
SPIE
Volyymi
9363
Artikkelinumero
93632A
ISBN
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka; Kemia; Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka; Materiaalitekniikka; Nanoteknologia; Lääketieteen bioteknologia
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object]
Tunnistettu aihe
[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1117/12.2077549
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä