Edistystä tarvitaan, jotta voimme viedä meidät seuraavan sukupolven muistiteknologioihin, joissa laskentanopeus kohtaa energiatehokkuuden uusissa ympäristöystävällisissä sovelluksissa. Tämän projektin tavoitteena on tutkia resistiivisesti kytkevien muistimateriaalien atomimittakaavan ominaisuuksia epätasapainoisissa olosuhteissa keskeisten perushaasteiden ja teknologisten kysymysten ratkaisemiseksi, jotta saadaan parempia toiminnallisia muistilaitteita. Ionisäteilytyksen laskennallisia kokeita suoritetaan käyttämällä koneoppittuja molekyylidynamiikan simulaatioita ja aikariippuvaisia tiheysfunktionaalisia teorialaskelmia näiden materiaalien puolijohdeominaisuuksien järkeistämiseksi. Tutkimuksen tavoitteena on selvittää alkuainekalkogenidivalitsijoiden ydinmekanismin alkuperää ja optimoida kytkentäprosessia materiaalin rakennevaihetta säätämällä. Tutkimus toteutetaan Turun yliopistossa kansallisella (Aalto-yliopisto) ja kansainvälisellä (Espanja ja Iso-Britannia) yhteistyöllä.

2024

2028